发明名称 MEMS巨磁阻式高度压力传感器
摘要 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器,包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩,保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔,被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲,从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动,导致其产生的磁场发生微弱变化,引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化,电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化,实现对被测压力的测量,由于海拔与压力之间有一定的关系,通过测得的压力就可以得到海拔高度。
申请公布号 CN102914394A 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201210404330.8 申请日期 2012.10.22
申请人 清华大学;中北大学 发明人 李孟委;刘泽文;刘双红;孙剑文
分类号 G01L1/12(2006.01)I 主分类号 G01L1/12(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 贾玉健
主权项 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器,其特征在于,包括:键合基板(1);铁磁性薄膜承载体(10),设置在键合基板(1)上方,上部分为弹性薄膜(4),下部分为垫衬框体(2),垫衬框体(2)四周与键合基板(1)相连接;铁磁性薄膜(3),设置在铁磁性薄膜承载体(10)的弹性薄膜(4)下表面的中心位置;巨磁敏电阻(7),设置在键合基板(1)上表面中心位置,与铁磁性薄膜(3)的位置正对;保护罩(5),固定在铁磁性薄膜承载体(10)的上方,保护罩(5)上表面的中间设置连通保护罩(5)的内腔(23)和外界的通孔形的接触孔(6)。
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