薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法

摘要

本发明揭示了薄膜晶体管和显示设备的制造方法，并且提供一种漏电流小且可靠性高的半导体装置的制造方法。在薄膜晶体管的制造方法中，通过利用抗蚀掩模进行蚀刻来在薄膜晶体管中形成背沟道部，通过去掉该抗蚀掩模并蚀刻所述背沟道部的一部分，去掉残存于背沟道部上的蚀刻残渣等，由此可以降低产生的漏电流。当进一步蚀刻背沟道部时，可以以无偏向的干法蚀刻来进行。

主权项

一种半导体器件，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的半导体层；以及所述半导体层上的源电极和漏电极，其中所述半导体层具有在所述源电极和所述漏电极之间的凹部，以及其中整个所述半导体层与所述栅电极重叠。