发明名称 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷基底上TiO<sub>2</sub>纳米管有序阵列的制备
摘要 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备,该方法包括:(1)使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜;(2)配置阳极氧化溶液;(3)将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化,获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷,而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜,并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便,反应条件温和,并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀,可用于大面积制备薄膜,适用于工业化生产。
申请公布号 CN102899701A 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201210337502.4 申请日期 2012.09.13
申请人 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 发明人 张小秋;张柯;李文英;尹桂林;姜来新;余震;何丹农
分类号 C25D11/26(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C25D11/26(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中
主权项 一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备方法,其特征在于按以下步骤进行:(1)Al2O3陶瓷片清洗:依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗;(2)溅射钛膜:采用直流溅射钛靶,溅射气体为纯氩气;(3)配制阳极氧化溶液;(4)对步骤(1)中所得Al2O3陶瓷片在步骤(3)配制的溶液中进行阳极氧化,制备出高度有序的TiO2纳米管阵列。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号