用于带有点状互连和通孔的薄膜模块的方法和设备

摘要

一种制造单片集成光电子模块设备(100)的方法，该单片集成光电子模块设备(100)包括至少两个串联互连的光电子部件(104，106，108)。该方法包括在以(a，b，c)或(c，b，a)为顺序的3层堆叠的绝缘衬底或覆盖层(110)上沉积和划线：(a)后接触电极(122，124，126，128)，(b)半导电层(130)，以及(c)前接触部件(152，154，156，158)。将通孔(153，155，157)钻出，因此该钻孔工艺的热在所述通孔的表面导致金属化，向所述通孔的半导电层的表面(132、134、136、138)给予导电性，由此通过将第一前接触部件(154，156)连接到第二后接触部件(124，126)在光电子部件(104，106，108)之间建立串联互连的电气路径。

主权项

一种制造包括至少两个串联互连的光电子部件(104，106)例如光伏部件、二极管、或发光二极管部件的单片集成光电子模块(100)的方法，该方法从将一个初始电气绝缘层(110)安置在一个层堆叠下面作为一个衬底或安置在该层堆叠的顶部上作为一个覆盖层而开始，如果所述初始绝缘层为一个衬底配置被安置则通过以顺序(a)、(b)、(c)进行的以下步骤产生该层堆叠，或如果所述初始绝缘层为一个覆盖层配置被安置则通过以顺序(c)、(b)、(a)进行的以下步骤产生该层堆叠，该方法包括通过以下步骤生产所述层堆叠：(a)将称为后接触层的一个导电层(120)沉积到所述绝缘层(110)上或沉积到来自步骤(b)的半导电层(130，140)上；将在此称为后接触凹槽的至少一个凹槽(121)切割进入所述后接触层(120)，以便将所述绝缘层(110)或所述半导电层(130，140)的至少一条连续线暴露，由此提供被电气断开的至少一个第一和至少一个第二后接触部件(122，124，126，128)；(b)将包括至少一个半导电光电子活性层(130)的至少一个半导电层(130，140)沉积到在先前步骤(a)或(c)中沉积的层(120，150)上，由此填满所述凹槽(121，151)，并且其中所述半导电光电子活性层(130)由例如CdTe或一种ABC2材料制成，其中A表示由国际纯粹与应用化学联合会定义的包括Cu和Ag的化学元素周期表的第11族中的元素，B表示包括In、Ga和Al的周期表的第13族中的元素，并且C表示包括S、Se和Te的周期表的第16族中的元素；以及(c)将至少一个导电前接触层(150)沉积到在先前步骤(b)中沉积的层(130，140)或沉积到所述绝缘层(110)上；将其中称为前接触凹槽的至少一个凹槽(151)切割进入所述前接触层(150)，从而使得将在先前步骤中沉积的所述层(130，140)的至少一条连续线暴露，由此提供被电气断开的至少一个第一和至少一个第二前接触部件(154，156，158)，所述第一和第二前接触部件(154，156，158)包括覆盖对应的第一和第二后接触部件(122，124，126， 128)的一部分；所述方法进一步包括为所述第二后接触部件(124，126)中的至少一个钻出穿过在步骤(b)和(c)沉积的层的至少一个电池到电池通孔(155)的步骤，从而使得所述电池到电池通孔(155)将所述后接触层(120)和/或绝缘层(110)的一部分暴露，使用生成热的钻孔工艺从而使得所述钻孔工艺的热通过导致表面金属化(134，136)来导致所述一个或多个半导体层(130，140)内所述电池到电池通孔(155)的表面的化学成分的永久变化，因此所述电池到电池通孔(155)的表面变得导电，以便在所述第一前接触部件(154，156)中的至少一个和至少一个对应的第二后接触部件(124，126)之间建立一条电气路径，由此实现至少两个串联互连的光电子部件(104，106)。