| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离的平坦化方法,该平坦化方法至少包括下列步骤:提供一矽基底;形成一第一介电层于该矽基底上;形成一第二介电层于该第一介电层上;形成一第三介电层于该第二介电层上;以微影方法定义一主动区,并蚀刻该主动区外之该第三介电层、该第二介电层、该第一介电层及该矽基底,形成复数个浅沟渠;形成一衬氧化层于该些浅沟渠内面;沈积一绝缘层填满该些浅沟渠;反相定义该绝缘层暴露出该主动区上方区域;蚀刻该绝缘层以暴露出该主动区上方之该第三介电层;以及以化学机械研磨法平坦化该绝缘层,并去除该第三介电层。2.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第三介电层之化学机械研磨率远大于该第二介电层之化学机械研磨率,且该第三介电层与该绝缘层的蚀刻选择比大于该第二介电层与该绝缘层的蚀刻选择比。3.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第一介电层包括垫氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中形成该第一介电层之方法包括以热氧化法在该矽基底表面形成一垫氧化层,且该垫氧化层厚度约150-300A。5.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第二介电层包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中形成该第二介电层之方法包括以化学气相沈积一氮化矽层,且该氮化矽层厚度约1500-3000A。7.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中该第三介电层包括多晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中形成该第三介电层之方法包括以化学气相沈积一多晶矽层,且该多晶矽层厚度约400-1000A。9.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中形成该衬氧化层之方法包括热氧化法,且该衬氧化层厚度约300-600A。10.一种浅沟渠隔离的平坦化方法,该平坦化方法至少包括下列步骤:提供一矽基底;形成一第一介电层于该矽基底上;形成一第二介电层于该第一介电层上;形成一第三介电层于该第二介电层上;去除部份的该第三介电层、该第二介电层、该第一介电层及该矽基底,形成复数个浅沟渠;形成一衬氧化层于该些浅沟渠内面;形成一绝缘层填满该些浅沟渠;去除部份的该绝缘层以暴露出部份的该第三介电层;以及平坦化该绝缘层,并去除该第三介电层。11.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中平坦化该绝缘层,并去除该第三介电层的步骤中,该第三介电层之去除率远大于该第二介电层之除率,且在形成复数个浅沟渠的步骤中,去除该第三介电层与该绝缘层的选择比大于去除该第二介电层与该绝缘层的选择比。12.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成复数个浅沟渠的方法包括以微影方法定义一主动区,并蚀刻该主动区外之该第三介电层、该第二介电层、该第一介电层及该矽基底,以形成复数个浅沟渠。13.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中平坦化该绝缘层,并去除该第三介电层之方法包括化学机械研磨法。14.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成复数个浅沟渠的方法系以微影方法定义一主动区,并蚀刻该主动区外之该第三介电层、该第二介电层、该第一介电层及该矽基底,以形成复数个浅沟渠;且平坦化该绝缘层,并去除该第三介电层之方法为化学机械研磨法。15.如申请专利范围第14项所述之平坦化方法,其中该第三介电层之化学机械研磨率远大于该第二介电层之化学机械研磨率,且该第三介电层与该绝缘层的蚀刻选择比大于该第二介电层与该绝缘层的蚀刻选择比。16.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中该第一介电层包括垫氧化层。17.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成该第一介电层之方法包括以热氧化法在该矽基底表面形成一垫氧化层,且该垫氧化层厚度约150-300A。18.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中该第二介电层包括氮化矽。19.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成该第二介电层之方法包括以化学气相沈积一氮化矽层,且该氮化矽层厚度约1500-3000A。20.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中该第三介电层包括多晶矽。21.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成该第三介电层之方法包括以化学气相沈积一多晶矽层,且该多晶矽层厚度约400-1000A。22.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成该衬氧化层之方法包括热氧化法,且该衬氧化层厚度约300-600A。23.如申请专利范围第10项所述之平坦化方法,其中形成一绝缘层填满该些浅沟渠之方法包括化学气相沈积法。图示简单说明:第一图至第三图所绘示为习知浅沟槽隔离的制造方法。第四图至第五图所绘示为一种习知改善浅沟槽隔离之凹陷效应的方法。第六图所绘示为另一种习知改善浅沟槽隔离之凹陷效应的方法。第七图至第十一图所绘示为依照本发明之较佳实施例的一种浅沟渠隔离的平坦化方法。 |
