| 发明名称 | 图形曝光装置用的试样台 | ||
| 摘要 | 一种曝光装置用的试样台将在掩模上形成的电路图形复制在试样上,没有放大倍数偏差、检测部件和位置偏移计量部件而引起的精度降低,另外,也不会使掩模本身或掩模支持的基片受到损伤。即使在掩模图形小的情况下,也可以在短时间内,将试样硅基片伸长或缩短。图形曝光装置用的试样台,被分为部和周围部,分别设有吸附试样硅基片21的吸盘机构,周围的一部分或全部可以从试样台的中心沿半径方向移动。 | ||
| 申请公布号 | CN1233847A | 申请公布日期 | 1999.11.03 |
| 申请号 | CN99102830.9 | 申请日期 | 1999.03.05 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 相崎尚昭 |
| 分类号 | H01L21/30;G03F7/20 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
| 主权项 | 1．一种图形曝光装置用的试样台，装有试样并使用曝光装置，将在掩模上形成的电路图形复制到试样上，其特征是，所述试样台被分为中央部和包围中央部的周围部，设有移动部件，在吸附所述试样的状态下，所述周围部中至少有一部可以沿所述试样台的半径方向移动。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||