发明名称 |
穿隧式磁阻传感器 |
摘要 |
本发明提供一种穿隧式磁阻传感器,包括基板、绝缘层、电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方,并具有多个开口。电极阵列包括多个电极,且这些电极是彼此间隔地排列在绝缘层中,而各个开口分别暴露出其所对应的电极。穿隧磁阻元件则是配置在电极阵列上方,并电性连接至此电极阵列。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器,也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接,具有简化制程与节省成本的优点。 |
申请公布号 |
CN102866365A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201110346438.1 |
申请日期 |
2011.11.04 |
申请人 |
宇能电科技股份有限公司 |
发明人 |
李乾铭;陈光镜;刘富台 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I;G01D5/12(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海波拓知识产权代理有限公司 31264 |
代理人 |
杨波 |
主权项 |
一种穿隧式磁阻传感器,其特征在于,包括:一基板;一绝缘层,配置于该基板上方;一穿隧磁阻元件,嵌于该绝缘层中;以及一第一电极阵列,包括多个第一电极,该些第一电极彼此间隔地排列于该绝缘层上方,并分别电性连接至该穿隧磁阻元件。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元街28号5楼之2 |