| 发明名称 | 硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法及硅结晶生长用石英坩埚 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法，该涂敷方法能够将析晶涂层上形成的针孔直径抑制在较小水平。在本发明的涂敷方法中，在硅结晶生长用石英坩埚的内表面形成厚度为80μm以上且4mm以下的无气泡石英层，并且使用碱土金属氢氧化物包覆所述无气泡石英层的表面，然后，加热至上述表面发生析晶的温度以上。上述包覆可以通过使所述内表面浸渍到所述碱土金属氢氧化物的溶液中来进行。此外，上述加热可以在向所述硅结晶生长用石英坩埚中填充熔融原料的固体原料之前进行。 | ||
| 申请公布号 | CN102858708A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201180004906.5 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | FTB研究所株式会社 | 发明人 | 堀冈佑吉;樱木史郎 |
| 分类号 | C03C17/23(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种涂敷方法，其特征在于，在硅结晶生长用石英坩埚的内表面形成厚度为80μm以上且4mm以下的无气泡石英层，并且使用碱土金属氢氧化物包覆所述无气泡石英层的表面，然后，加热至所述表面发生析晶的温度以上。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||