发明名称 |
发光二极管反射电极的钝化方法 |
摘要 |
本发明公开了一发光二极管反射电极的钝化保护方法,包括步骤:在一基板上形成发光外延层,其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;在所述发光外延层上形成反射金属电极结构,包括金属反射层、金属隔离层和金属电极层;采用化学溶液对所述金属反射层的四周侧壁进行金属钝化,完成金属电极结构的钝化保护。 |
申请公布号 |
CN102856459A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210326876.6 |
申请日期 |
2012.09.06 |
申请人 |
安徽三安光电有限公司 |
发明人 |
林素慧;洪灵愿;彭康伟;其他发明人请求不公开姓名 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
发光二极管反射电极的钝化方法,其包括步骤:在一基板上形成发光外延层,其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;在所述发光外延层上形成反射金属电极结构,包括金属反射层、金属隔离层和金属电极层;采用化学溶液对所述金属反射层的四周侧壁进行金属钝化,完成金属电极结构的钝化保护。 |
地址 |
241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 |