发明名称 发光二极管反射电极的钝化方法
摘要 本发明公开了一发光二极管反射电极的钝化保护方法,包括步骤:在一基板上形成发光外延层,其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;在所述发光外延层上形成反射金属电极结构,包括金属反射层、金属隔离层和金属电极层;采用化学溶液对所述金属反射层的四周侧壁进行金属钝化,完成金属电极结构的钝化保护。
申请公布号 CN102856459A 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201210326876.6 申请日期 2012.09.06
申请人 安徽三安光电有限公司 发明人 林素慧;洪灵愿;彭康伟;其他发明人请求不公开姓名
分类号 H01L33/36(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I 主分类号 H01L33/36(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 发光二极管反射电极的钝化方法,其包括步骤:在一基板上形成发光外延层,其至下而上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;在所述发光外延层上形成反射金属电极结构,包括金属反射层、金属隔离层和金属电极层;采用化学溶液对所述金属反射层的四周侧壁进行金属钝化,完成金属电极结构的钝化保护。
地址 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号