| 摘要 |
1. Способ для формирования люминофорного светоизлучающего диода (Л-СИД), включающий в себя:- монтаж множества по существу прямоугольных кристаллов СИД на монтажной полупроводниковой пластине;- формование по существу прямоугольной прозрачной первой линзы непосредственно поверх каждого кристалла СИД путем компрессионного формования, в котором сначала пресс-форму заполняют первым линзовым материалом, а затем кристалл СИД погружают в первый линзовый материал при сжатии, тогда как монтажную полупроводниковую пластину совмещают с первой пресс-формой, после чего прозрачный линзовый материал подвергают отверждению, а кристаллы СИД и прозрачные первые линзы отделяют от первой пресс-формы, причем в первые прозрачные линзы инкапсулируют кристаллы СИД;- формование по существу прямоугольной второй линзы, содержащей люминофор непосредственно поверх каждой из первых прозрачных линз путем компрессионного формования, до достижения по существу полного покрытия внешней поверхности первых прозрачных линз, в котором вторую пресс-форму сначала заполняют вторым линзовым материалом, содержащим люминофор, затем кристаллы СИД и первые прозрачные линзы погружают во второй линзовый материал при сжатии, после чего второй линзовый материал подвергают отверждению, а кристаллы СИД, прозрачные первые линзы и вторые линзы отделяют от второй пресс-формы, причем вторая линза имеет размеры, не связанные ни с какими несоосностями кристалла СИД по направлениям x, y и z на крепежной полупроводниковой пластине, верхние поверхности всех вторых линз по существу находятся в одной опорной плоскости, а толщина вторых линз по существу одноро� |
