发明名称 |
一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法 |
摘要 |
一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法,包括衬底硅片、结构硅片,在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点,另一面设置有加力点,所述支撑点设置在键合区域和加力点之间,所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体。制造这种微结构的方法,包括以下步骤:步骤1,对结构硅片表面进行氧化,形成腐蚀阻挡层,然后光刻所述腐蚀阻挡层,形成腐蚀窗口,再用腐蚀液将结构硅片腐蚀2微米至200微米深度;步骤2,将衬底硅片和结构硅片通过硅直接键合工艺键合成一体。本发明的微结构结构简单,设置灵活,操作方便。 |
申请公布号 |
CN102175603B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201110055917.8 |
申请日期 |
2011.03.09 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
秦明;康兴华;胡尔同 |
分类号 |
G01N19/04(2006.01)I |
主分类号 |
G01N19/04(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
汤志武 |
主权项 |
一种测量硅片键合强度的微结构,其特征在于,包括衬底硅片(1)、结构硅片(2),在所述结构硅片(2)一面设置有键合区域(3)、支撑点(4),另一面设置有加力点(5),所述支撑点(4)设置在键合区域(3)和加力点(5)之间,所述衬底硅片(1)和结构硅片(2)通过键合区域(3)键合成一体。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |