发明名称 Vertical type semiconductor and method of the same
摘要 <p>본 발명은 수직형 반도체 소자에 관한 것으로, 반도체 기판에 수직하게 돌출된 활성 필라들, 활성 필라들의 적어도 일 측면에 연결되며 매립 비트라인과 교차하는 방향을 따라 형성되는 수직 게이트 및 수직 게이트와 연결되지 않은 활성 필라의 측면 중 적어도 일 측면에 연결되는 바디 라인을 포함하며, 바디 라인이 활성 필라 내에 쌓이는 홀을 방전시킴으로써 비트라인 접합 영역의 접합 깊이가 깊게 형성되더라도 플로팅 바디 효과가 발생되지 않도록 해준다.</p>
申请公布号 KR101213893(B1) 申请公布日期 2012.12.18
申请号 KR20100127655 申请日期 2010.12.14
申请人 发明人
分类号 H01L21/335;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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