| 发明名称 | 一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。该器件结构用于碳纳米管电子器件和传感器中。由于省去了盖板，器件结构制作过程简单，成品率高，适合阵列化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102786023A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201110128174.2 | 申请日期 | 2011.05.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 李铁;周玉修;王跃林 |
| 分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种无盖板的碳纳米管器件结构，其特征在于，包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在所述(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；所述碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；所述金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||