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Plasmaverarbeitungsvorrichtung umfassend: eine Verarbeitungskammer, die zusammengesetzt ist aus einer Kammer (2), einem Elektrodenflansch (4) und einem Elektrodenflansch (81), wobei die Verarbeitungskammer eine Reaktionskammer (α) umfasst; eine Unterstützungseinrichtung (15), die in der Reaktionskammer (α) beinhaltet ist und auf der ein Substrat (10) anzuordnen ist; eine Brauseplatte (5), die in der Reaktionskammer (α) beinhaltet ist und die gegenüber dem Substrat (10) angeordnet ist, wobei die Brauseplatte (5) ein Verarbeitungsgas in Richtung des Substrats (10) bereitstellt; eine Vielzahl von Gasversorgungseinrichtungen (8), die in einem Raum (31) zwischen dem Elektrodenflansch (4) und der Brauseplatte (5) bereitgestellt sind, die mit jeder der Gaseinführungsschnittstellen (34) in Verbindung stehen und die ringförmig in einer konzentrischen Form angeordnet sind, wobei die Gasversorgungseinrichtungen separat voneinander verschiedene Zusammensetzungen des Verarbeitungsgases in Richtung der Brauseplatte (5) bereitstellen; und eine Spannungsversorgungseinrichtung (33), die eine Spannung zwischen der Brauseplatte (5) und der Unterstützungseinrichtung (15) einstellt.
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