面板元件缺陷检测系统

摘要

一种元件缺陷检测系统包括一待检测元件；一平台承载该待检测元件；一电源单元；以及一光源装置。该光源装置接受该电源单元的控制，以提供一检测光给该待检测元件以检测是否有缺陷。光源装置包括一阴极结构、一阴极结构、一萤光层、一低压气体层。萤光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间。低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用，其中该低压气体层有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击该萤光层。

主权项

一种元件缺陷检测系统，包括：一待检测元件；一电源单元；以及一光源装置，承载该待检测元件，且接受该电源单元的控制，以提供一检测光给该待检测元件以检测是否有缺陷，其中该光源装置包括：一阴极结构；一阳极结构；一萤光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；以及一低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用，其中该低压气体层有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击该萤光层，其中该低压气体层的气压是在10-1~10-3torr的范围内。如申请专利范围第1项所述之元件缺陷检测系统，其中该阴极结构与该阳极结构分别是一面状结构且相互平行，以提供面状的该检测光。一种元件缺陷检测系统，包括：一待检测元件；一平台，承载该待检测元件；一电源单元；以及一光源装置，接受该电源单元的控制，以提供一检测光给该待检测元件以检测是否有缺陷，其中该光源装置包括：一阴极结构；一阳极结构；一萤光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；以及一低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用，其中该低压气体层有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击该萤光层，其中该低压气体层的气压是在10-1~10-3torr的范围内。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该阴极结构与该阳极结构分别是一面状结构且相互平行，以提供面状的该检测光。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，更包括一边壁结构，用以将该阴极结构与该阳极结构隔开，且构成一密闭空间以构成该低压气体层。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该萤光层位于该阳极结构的一表面。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该待检测元件是一显示面板。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中平台可以移动该待检测元件。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，更包括一摄影元件，拍摄该待检测元件。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置的该阴极结构与/或该阳极结构的一表面，更包括一易放电材料层。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置的该阴极结构的一表面，更包括一二次电子源材料。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该低压气体层的一气体包括钝气或大气。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该低压气体层的一气体包括O2、H2或CO2。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置在该阳极结构上的该萤光层，可依一选择材料发出所需的一可见光。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置的该阳极结构是一面状结构。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置的该阴极结构是一面状结构，且该萤光层，位于该阳极结构的一表面上，面向该阴极结构。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置的该阴极结构包括至少一线状阴极。如申请专利范围第3项所述之元件缺陷检测系统，其中该光源装置更包括一基板结构，具有至少一曲面凹沟，其中该阴极结构是至少一线状阴极，分别在该曲面凹沟上方延伸，该阳极结构在该曲面凹沟的一凹表面上。一种元件缺陷检测系统，包括：一待检测元件；一平台，承载该待检测元件；一电源单元；以及一光源装置，接受该电源单元的控制，以提供一检测光给该待检测元件以检测是否有缺陷，其中该光源装置包括：一阴极结构；一阳极结构；一萤光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；一低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用，其中该低压气体层有一电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在一操作电压下直接撞击该萤光层；一第一基板；以及一第二基板，与该第一基板一起用以构成一封闭空间，其中该阳极结构，该萤光层与该阴极结构都接触置放在该封闭空间内相同的该第一基板上，该萤光层是由多个单体组成，位在该第一基板上且位于该阴极结构与该阳极结构之间，以构成至少一发光区域，该低压气体层，填充于该封闭空间内，有诱导阴极均匀发射电子的作用。如申请专利范围第19项所述之元件缺陷检测系统，其中该待检测元件包括一影像显示面板。