电压非线性阻抗体瓷器组合物、电子零件及积层晶片变阻器

摘要

本发明之电压非线性阻抗体瓷器组合物，包括含有氧化锌之主成分、含有稀土类金属之氧化物之第一辅助成分、含有Ca之氧化物之第二辅助成分及含有Si之氧化物之第三辅助成分。第二辅助成分相对于主成分100莫耳之比率，换算为Ca，为2原子%≦第二辅助成分<80原子%。第三辅助成分相对于主成分100莫耳之比率，换算为Si，为1原子%≦第三辅助成分<40原子%。Ca与Si之原子比(Ca/Si)为1以上。

主权项

一种电压非线性阻抗体瓷器组合物，其包括：含有氧化锌之主成分、含有稀土类金属之氧化物之第一辅助成分、含有Ca之氧化物之第二辅助成分、及含有Si之氧化物之第三辅助成分；上述第二辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Ca，为2原子%≦第二辅助成分<80原子%，上述第三辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Si，为1原子%≦第三辅助成分<40原子%，且Ca与Si之原子比(Ca/Si)为1以上。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其中上述第一辅助成分中所含稀土类元素之氧化物为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中至少一种之氧化物，上述第一辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为稀土类元素，为0.01原子%<第一辅助成分<10原子%。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其中上述第一辅助成分中所含稀土类元素之氧化物为Pr之氧化物。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其进而包括含有Co之氧化物之第四辅助成分，上述第四辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Co，为0.05原子%<第四辅助成分<10原子%。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其进而包括第五辅助成分，该第五辅助成分含有选自IIIB族元素中至少一种之氧化物，上述第五辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为所选之IIIB族元素，为0.0005原子%≦第五辅助成分≦0.5原子%。如请求项5之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其中IIIB族元素为B、Al、Ga及In。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其进而包括第六辅助成分，该第六辅助成分含有选自IA族元素中至少一种之氧化物，上述第六辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为所选之IA族元素，为第六辅助成分<5原子%。如请求项7之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其中IA族元素为Na、K、Rb及Cs。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其进而包括第七辅助成分，该第七辅助成分含有选自除Ca外之IIA族元素中至少一种之氧化物，上述第七辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为所选之IIA族元素，为第七辅助成分<1原子%。如请求项9之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其中IIA族元素为Mg、Sr及Ba。如请求项1之电压非线性阻抗体瓷器组合物，其进而包括第八辅助成分，该第八辅助成分含有选自Cr及Mo中至少一种之氧化物，上述第八辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，分别以Cr及Mo换算，为第八辅助成分<10原子%。一种电子零件，其具有电压非线性阻抗体层，上述电压非线性阻抗体层系由电压非线性阻抗体瓷器组合物所构成，该电压非线性阻抗体瓷器组合物包括：含有氧化锌之主成分、含有稀土类金属之氧化物之第一辅助成分、含有Ca之氧化物之第二辅助成分、及含有Si之氧化物之第三辅助成分；上述第二辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Ca，为2原子%≦第二辅助成分<80原子%，上述第三辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Si，为1原子%≦第三辅助成分<40原子%，且Ca与Si之原子比(Ca/Si)为1以上。一种积层晶片变阻器，其具有电压非线性阻抗体层，上述电压非线性阻抗体层系由电压非线性阻抗体瓷器组合物所构成，该电压非线性阻抗体瓷器组合物包括：含有氧化锌之主成分、含有稀土类金属之氧化物之第一辅助成分、含有Ca之氧化物之第二辅助成分、及含有Si之氧化物之第三辅助成分；上述第二辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Ca，为2原子%≦第二辅助成分<80原子%，上述第三辅助成分相对于上述主成分100莫耳之比率，换算为Si，为1原子%≦第三辅助成分<40原子%，且Ca与Si之原子比(Ca/Si)为1以上。