形成含矽膜用组成物、含矽膜、形成含有矽膜之基板及使用其形成图型之方法

摘要

本发明提供一种，热硬化性含矽膜形成用组成物，其特征为含有：(A－1)藉由将使用酸触媒之水解性矽化合物予以水解缩合而得的反应混合物，去除该酸触媒所得之含矽化合物、(A－2)藉由将使用硷性触媒之水解性矽化合物予以水解缩合而得的反应混合物，去除该硷性触媒所得之含矽化合物、(B)式(1)或(2)之化合物、LaHbX (1)(L为Li、Na、K、Rb或Cs；X为OH或有机酸基；a为1以上；b为0或1以上；a＋b为羟基或有机酸基之个数)、MA (2)(M为鎏、碘鎓或铵；A为非亲核性抗衡离子)、(C)碳数1~30之有机酸、(D)有机溶剂；使用采用本发明之组成物所形成的含矽中间膜，能使在其上形成之光阻膜形成良好的图型。

主权项

一种热硬化性含矽膜形成用组成物，其特征为含有：(A-1)使用选自无机酸及磺酸衍生物之1种以上的化合物作为酸触媒，自藉由将水解性矽化合物予以水解缩合而得之含矽化合物的反应混合物，经实质上将该酸触媒去除之步骤可获得的含矽化合物、及(A-2)使用硷性触媒，自藉由将水解性矽化合物予以水解缩合而得之含矽化合物的反应混合物，经实质上将该硷性触媒去除之步骤可获得的含矽化合物、及(B)下述一般式(1)或(2)所示之化合物、LaHbX (1)(式中，L为锂、钠、钾、铷或铯；X为羟基、或碳数1~30之1价或2价以上的有机酸基；a为1以上之整数；b为0或1以上之整数；a+b为羟基或有机酸基之个数)、MA (2)(式中，M为鎏、碘鎓或铵；A为非亲核性抗衡离子)、及(C)碳数1~30之1价或2价以上的有机酸、及(D)有机溶剂。如申请专利范围第1项之热硬化性含矽膜形成用组成物，其中一般式(2)之M为三级鎏、二级碘鎓、或四级铵。如申请专利范围第1或2项之热硬化性含矽膜形成用组成物，其中一般式(2)之M为光分解性。如申请专利范围第1或2项之热硬化性含矽膜形成用组成物，其中组成物中之质量为(A-1)>(A-2)。如申请专利范围第1或2项之热硬化性含矽膜形成用组成物，其中尚含有光酸产生剂。如申请专利范围第1或2项之热硬化性含矽膜形成用组成物，其中尚含有水及/或水溶性有机溶剂。一种含矽膜，其系在被加工基板上形成有机膜，于其上形成含矽膜，更于其上使用不含矽之化学增强型光阻组成物形成光阻膜；将此光阻膜进行图型加工后，使用此光阻膜图型进行含矽膜之图型加工；以经加工之含矽膜图型作为蚀刻光罩，将下层之有机膜进行图型加工；进而以经加工之有机膜作为蚀刻光罩，将被加工基板予以蚀刻之多层光阻法中所使用的含矽膜；其特征为由申请专利范围第1~6项中任一项之组成物所形成。一种含矽膜，其系在申请专利范围第7项之多层光阻法的步骤中，于由化学增强型光阻组成物所得之光阻膜与含矽膜之间，介在有机防反射膜之多层光阻法中所使用的含矽膜；其特征为由申请专利范围第1~6中任一项之组成物所形成。一种基板，其特征为依顺序形成：有机膜，与在此有机膜之上，由申请专利范围第1~6项中任一项之组成物所形成的含矽膜，及于其上之光阻膜。一种基板，其特征为依顺序形成：有机膜，与在此有机膜之上，由申请专利范围第1~6项中任一项之组成物所形成的含矽膜，及有机防反射膜，以及于其上之光阻膜。如申请专利范围第9或10项之基板，其中该有机膜为具有芳香族骨架之膜。一种图型形成方法，其系在基板上形成图型之方法；其特征为：准备如申请专利范围第9项之基板，将该基板之光阻膜的图型电路区域进行曝光后，以显像液显像，在光阻膜上形成光阻图型、以该形成光阻图型之光阻膜作为蚀刻光罩，将含矽膜进行乾蚀刻、以形成图型之含矽膜作为蚀刻光罩，将有机膜进行蚀刻、以形成图型之有机膜作为光罩，将基板进行蚀刻，在基板上形成图型。一种图型形成方法，其系在基板上形成图型之方法；其特征为：准备如申请专利范围第10项之基板，将该基板之光阻膜的图型电路区域进行曝光后，以显像液显像，在光阻膜上形成光阻图型、以该形成光阻图型之光阻膜作为蚀刻光罩，将有机防反射膜及含矽膜进行乾蚀刻、以形成图型之含矽膜作为蚀刻光罩，将有机膜进行蚀刻、以形成图型之有机膜作为光罩，将基板进行蚀刻，在基板上形成图型。如申请专利范围第12或13项之图型形成方法，其中该有机膜为具有芳香族骨架之膜。如申请专利范围第12或13项之图型形成方法，其中光阻图型之形成，系采用使用波长为300nm以下之光的微影法。