| 发明名称 | 浮栅型EEPROM器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浮栅型EEPROM器件，其存储单元包括一个存储晶体管和一个选择晶体管，其中的存储晶体管包括位于下方的浮栅和位于上方的控制栅，在所述浮栅和控制栅之间有一层介质，所述介质层呈现为曲面形状。本发明还公开了所述器件的制造方法，主要利用对浮栅进行浅沟槽刻蚀，使得介质层呈现下凹的曲面形状，相比较传统的平面形状的介质层而言增加电容面积，增加的电容成浅沟槽的深度与正比，从而增加电压耦合效率和耦合电压，并可以保持现有器件面积甚至缩小器件面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102760737A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110107635.8 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙;陈昊瑜 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种浮栅型EEPROM器件，其存储单元包括一个存储晶体管和一个选择晶体管，其中的存储晶体管包括位于下方的浮栅和位于上方的控制栅，在所述浮栅和控制栅之间有一层介质，其特征是，所述介质层呈现为曲面形状。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||