应变记忆作用的半导体器件制造方法

摘要

一种应变记忆作用的半导体器件制造方法，包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成场效应晶体管；在所述场效应晶体管的表面形成照射阻挡层；在所述照射阻挡层的表面形成应力顶盖层，并使用紫外线照射所述应力顶盖层；对所述场效应晶体管的有源区进行热退火；去除所述应力顶盖层；在场效应晶体管表面形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的诱发应力类型与应力顶盖层相同；在刻蚀阻挡层的表面形成金属前介质层，在所述金属前介质层以及刻蚀阻挡层中制作接触孔引出有源区互连线。本发明使用紫外线照射应力顶盖层增强其诱发应力的效果，并适当减薄刻蚀阻挡层的厚度，保持半导体器件的电性能的同时，解决晶体管的相邻栅极之间容易形成空隙的问题。

主权项

一种应变记忆作用的半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成场效应晶体管；在所述场效应晶体管的表面形成照射阻挡层；在所述照射阻挡层的表面形成应力顶盖层，并使用紫外线照射所述应力顶盖层，所述使用紫外线照射应力顶盖层的工艺参数为：采用波长范围为320~400nm的紫外线，照射时温度升至350‑480℃ ，照射2‑7min，应力顶盖层的诱发应力大小为1.2GPa~1.7GPa；使用紫外线照射所述应力顶盖层之后，根据应力类型选择性去除场效应晶体管表面的应力顶盖层；对所述场效应晶体管的有源区进行热退火；去除剩余的所述应力顶盖层；在场效应晶体管表面形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的诱发应力类型与应力顶盖层相同；在刻蚀阻挡层的表面形成金属前介质层，在所述金属前介质层以及刻蚀阻挡层中制作接触孔，引出有源区互连线。