Hochleistungszerstäubungsquelle

摘要

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Magnetronsputter Verfahren mit dem es möglich ist Material von einer Targetoberfläche zu zerstäuben derart, dass das zerstäubte Material zu einem hohen Prozentsatz in Form von Ionen vorliegt. Erfindungsgemäss wird dies mittels eines einfachen Gernerators erreicht, dessen Leistung in Zeitintervallen verteilt in mehrere Magnetron-Sputterquellen eingespeist wird, d. h. eine Sputterquelle zu einem Zeitintervall mit maximaler Leistung versorgt wird und die nächste Sputterquelle im sich anschliessenden Zeitintervall mit maximaler Leistung versorgt wird. Auf diese Weise werden Entladungsstromdichten grösser 0.2 A/cm2 realisiert. Während der abgeschalteten Zeit hat das Sputtertarget die Möglichkeit abzukühlen, so dass das Temperaturlimit nicht überschritten wird.