发明名称 一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器
摘要 本申请公开了一种跨导放大器、电阻、电感以及滤波器,本申请跨导放大器采用两组子跨导放大器构成,其中一组子跨导放大器由第一PMOS管M1至第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九NMOS管至第十二NMOS管、第十五NMOS管至第十八NMOS管组成,第二组子跨导放大器由第七NMOS管、第八NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管组成,两组放大器的输出端交叉连接,从而可以利用电流相减的方式消除第一子跨导放大器的三次项谐波,从而实现本申请所述跨导放大器的低功耗高线性度。进而由所述跨导放大器模拟得到的电阻、电感、以及由所述电阻和/或电感构成的电路也可以实现低功耗高线性度。
申请公布号 CN102739174A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201210212644.8 申请日期 2012.06.21
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 程序;郭桂良;阎跃鹏
分类号 H03F3/45(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I;H01C1/16(2006.01)I;H03L7/093(2006.01)I 主分类号 H03F3/45(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种跨导放大器,其特征在于,包括:第一PMOS管的栅极以及第二PMOS管的栅极连接跨导放大器的正相偏置电压端;第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极连接,且连接跨导放大器的共模反馈电压端;第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极、第九NMOS管的漏极以及第十NMOS管的漏极连接跨导放大器的电源电压端;第一PMOS管的漏极分别连接第九NMOS管的栅极和第十一NMOS管的漏极;第三PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极连接跨导放大器的负相输出端;第四PMOS管的漏极和第六NMOS管的漏极连接跨导放大器的正相输出端;第二PMOS管的漏极分别连接第十NMOS管的栅极以及第十二NMOS管的漏极;第五NMOS管的源极、第十NMOS管的源极、第十六NMOS管的栅极、第十八NMOS管的漏极和栅极连接;第六NMOS管的源极、第九NMOS管的源极、第十五NMOS管的栅极、第十七NMOS管的栅极和漏极连接;第十一NMOS管的源极连接第十五NMOS管的漏极;第十二NMOS管的源极连接第十六NMOS管的漏极;第十五NMOS管的源极、第十六NMOS管的源极、第十七NMOS管的源极以及第十八NMOS管的源极连接;第十一NMOS管的栅极以及第五NMOS管的栅极均连接跨导放大器的正相输入端;第六NMOS管的栅极以及第十二NMOS管的栅极均连接跨导放大器的负相输入端。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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