半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明的目的在于：提供一种可以实现大面积化的半导体装置的制造方法；提供一种效率高的半导体装置的制造方法；在使用含有杂质元素的大面积衬底的情况下，提供一种可靠性高的半导体装置。为了实现半导体装置的大面积化以及制造效率的提高，通过同时处理多个半导体衬底来制造SOI衬底。具体地说，是使用可以同时处理多个半导体衬底的浅盘来进行一系列的工序。在此，在浅盘上设置有用来保持单晶半导体衬底的凹部。此外，通过设置对制造成的半导体元件特性产生影响的杂质元素起到阻挡层作用的绝缘层，以防止半导体元件特性的退化。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：将多个单晶半导体衬底设置在浅盘中，所述浅盘包括多个用于保持所述多个单晶半导体衬底的凹部；在所述多个单晶半导体衬底上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层照射离子，以在每个所述多个单晶半导体衬底中形成损伤区域；在所述第一阻挡层上形成接合层；使所述接合层与含有杂质元素的衬底互相接触，以使所述多个单晶半导体衬底与所述含有杂质元素的衬底接合；使所述多个单晶半导体衬底沿所述损伤区域分离，以在所述含有所述杂质元素的衬底上形成多个单晶半导体层；使用所述多个单晶半导体层形成多个半导体元件；以及覆盖所述多个半导体元件地形成第二阻挡层。