| 发明名称 | NMOS器件制作方法 | ||
| 摘要 | 一种NMOS器件制作方法，包括：提供含有NMOS的基底；在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层分别进行紫外光照射，所述紫外光照射的时间和温度与所述沟道长度成正比；继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。本发明所提供的NMOS器件制作方法根据沟道长度的长短，通过对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层进行紫外光照射，使得氮化硅层的应力与沟道长度成正比，从而实现对NMOS器件性能调整的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN102709244A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210209067.7 | 申请日期 | 2012.06.21 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种NMOS器件制作方法，其特征在于，包括：提供含有NMOS的基底；在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层分别进行紫外光照射，所述紫外光照射的时间和温度与所述沟道长度成正比；继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||