| 发明名称 | MOS晶体管栅极电阻测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS晶体管栅极电阻测试结构，包括m组MOS晶体管；每一组MOS晶体管包括n个不同沟道宽度的MOS晶体管；同一组MOS晶体管具有相同沟道长度；不同组MOS晶体管具有不同沟道长度；各MOS晶体管的类型相同。利用该MOS晶体管栅极电阻测试结构，能直观地得到考虑栅极电阻对MOS晶体管特性的影响时，MOS晶体管的模型中的电阻元件Rg的函数式中的各系数。 | ||
| 申请公布号 | CN102693959A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201110072999.7 | 申请日期 | 2011.03.25 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘梅;李平梁 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管栅极电阻测试结构，其特征在于，包括m组MOS晶体管；每一组MOS晶体管包括n个不同沟道宽度的MOS晶体管；同一组MOS晶体管具有相同沟道长度；不同组MOS晶体管具有不同沟道长度；各MOS晶体管的类型相同；m、n为正整数。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||