发明名称 |
MoSi<sub>2</sub>/Mo复合粉体及Mo-Si-B复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明属于高新材料制备领域,具体公开一种MoSi2/Mo复合粉体及Mo-Si-B复合材料的制备方法。(1)根据所要求包裹层Mo的厚度,选定合适粒度的待处理粉体MoSi2,其原则为粉体MoSi2的粒度为包裹层Mo厚度的3~5倍,粒度和厚度单位均为微米;(2)真空处理粉体MoSi2:真空度为10-2~10-4Pa,处理温度为1400~1600℃,处理时间由公式h=Kt1/2确定,其中h--包裹层Mo厚度,单位为微米,K--与材料性质、处理温度有关的常数,t为处理时间,单位为小时;(3)将处理过的粉体,通过粉末冶金的方法制备Mo-Si-B复合材料。本发明方法可以实现复合材料中第二相含量的控制,避免复合材料中第二相的偏析,可以实现复合材料组织结构的最优化,从而来改善复合材料的综合性能。 |
申请公布号 |
CN102134659B |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201110051907.7 |
申请日期 |
2011.03.04 |
申请人 |
郑州嵩山电热元件有限公司 |
发明人 |
郜剑英;郑国军 |
分类号 |
C22C1/04(2006.01)I;C22C29/18(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/04(2006.01)I |
代理机构 |
郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 |
代理人 |
王聚才 |
主权项 |
MoSi2/Mo复合粉体的制备方法,其特征在于MoSi2/Mo复合粉体中,MoSi2为核,Mo为包裹层,制备步骤如下:(1)根据所要求包裹层Mo的厚度,选定合适粒度的待处理粉体MoSi2,其原则为粉体MoSi2的粒度为包裹层Mo厚度的3~5倍,粒度和厚度单位均为微米;(2)真空处理粉体MoSi2:真空度为10‑2~10‑4Pa,处理温度为1400~1600℃,处理时间由公式h=Kt1/2确定,其中h‑‑包裹层Mo厚度,单位为微米,K‑‑与材料性质、处理温度有关的常数,t为处理时间,单位为小时。 |
地址 |
452483 河南省登封市三里庄高新技术工业园区 |