发明名称 |
安装半导体器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明描述了一种用于将半导体器件安装到包括过渡热沉和热沉的复合基底的方法。根据本发明的一个方面,对过渡热沉和热沉的材料进行选取使得半导体器件的热膨胀系数值在过渡热沉和热沉的材料的热膨胀系数值之间,对过渡热沉的厚度进行选取以平衡半导体器件的热膨胀和过渡热沉表面的热膨胀,所述器件被安装到所述过渡热沉的所述表面上。根据本发明的另一个方面,半导体器件、过渡热沉和热沉在单个加热步骤被焊接到堆叠上,这促使剩余的后焊接应力减小。 |
申请公布号 |
CN101339911B |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN200810132603.1 |
申请日期 |
2008.07.07 |
申请人 |
JDS尤尼弗思公司 |
发明人 |
安德烈·王;萨克布赫·巴杰瓦 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
郑小粤 |
主权项 |
一种低应力安装平面半导体器件的方法,其包括:提供具有平整表面的热沉和具有相对的第一平整表面和第二平整表面的过渡热沉,其中,三个所述表面中的两个具有粘附在其上的焊料薄膜;将所述热沉的所述平整表面冷接触到所述过渡热沉的所述第一平整表面,以及将所述过渡热沉的所述第二平整表面冷接触到所述平面半导体器件的平整表面,以形成堆叠,其中,将所述焊料薄膜置于所述过渡热沉的所述第一平整表面和所述第二平整表面上;将所述过渡热沉的所述第一平整表面和所述第二平整表面上的所述焊料薄膜熔解;以及将所述焊料薄膜冷却并固化;其中,所述平面半导体器件、所述过渡热沉和所述热沉分别具有第一热膨胀系数CTE1、第二热膨胀系数CTE2和第三热膨胀系数CTE3,其中,以平行于所述平整表面的方向测量所述热膨胀系数,以及其中,所述值CTE1在所述值CTE2和所述值CTE3之间;以及其中所述热沉,过渡热沉和所述平面半导体器件在垂直于所述平整表面的方向上具有厚度,并且对所述过渡热沉的所述厚度进行选取,以使当将所述过渡热沉的所述第一平整表面焊接到所述热沉上之后,所述过渡热沉在所述第二平整表面的所述热膨胀系数与CTE1匹配。 |
地址 |
美国加利福尼亚苗必达麦卡锡林荫大道430号 |