| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Zwischenschichtmaterialssystems eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Entfernen eines ersten Teils einer ersten verformungsinduzierenden Schicht von einem ersten Bauteilbereich und Bewahren eines zweiten Teils der ersten verformungsinduzierenden Schicht, der über einem zweiten Bauteilbereich ausgebildet ist; Bilden einer zweiten verformungsinduzierenden Schicht über dem zweiten Teil und dem ersten Bauteilbereich; Bilden eines Ätzstoppmaterials; danach Ausführen eines Abtragungsprozesses derart, dass ein erster Teil der zweiten verformungsinduzierenden Schicht, der über dem ersten Bauteilbereich ausgebildet ist, bewahrt wird und Material eines zweiten Teils der zweiten verformungsinduzierenden Schicht, der über dem zweiten Teil der ersten verformungsinduzierenden Schicht ausgebildet ist, entfernt wird, wobei der Abtragungsprozess Bilden einer Ätzmaske derart, dass der erste Bauteilbereich abgedeckt ist, durch Strukturieren des Ätzstoppmaterials mittels einer Lackmaske umfasst; Ausführen eines nasschemischen Ätzprozesses in Anwesenheit der Ätzmaske derart, dass weiteres Material des zweiten Teils der zweiten verformungsinduzierenden Schicht abgetragen wird; und...</p> |
