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一种硒化锌单晶体生长方法，采用纯度为99.999％的单质锌和纯度为99.999％的单质硒，其特征在于，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长过程，具体步骤如下，第一步、安瓿的清洁过程包括了综合清洗、氢氧焰强力火烤和退火，具体是：a.综合清洗，用自来水冲洗石英安瓿内部；用丙酮浸泡安瓿内壁10～12小时；用王水浸泡10～12小时；用超纯去离子水反复冲洗3～5次；b.强力火烤，将清洗好的安瓿置于真空烘箱中，温度控制在120～130℃，时间3～5小时，除去安瓿中的水蒸气；从安瓿底部到开口方向顺次用流量比为H2∶O2＝3∶1的氢氧焰火烤5分钟，使安瓿内部的难以清洗的杂质在高温下蒸发去除；c.退火，氢氧焰火烤安瓿结束后，立即将安瓿在1250℃下保温20分钟进行退火，以消除氢氧焰火烤时产生的热应力；第二步、装料并密封安瓿：将单质硒和单质锌装入清洁后的安瓿中；装入气相反应促进剂，并将装有气相反应促进剂的安瓿冷却至‑20℃以下；抽真空除去安瓿中的空气，当安瓿中气压降为0.5×10‑3～5×10‑3Pa数量级时密封安瓿；所述的反应促进剂为碘单质；第三步、密封安瓿生长区的热清洗：将密封的安瓿垂直或者水平放置于晶体生长炉内；使安瓿之生长区温度高于原料区温度，生长区温度为980～1020℃，原料区温度750℃；第四步、晶体生长：待密封的安瓿热清洗后，将炉子温场调整为生长温场，使安瓿生长区温度低于原料区温度；生长区温度为880～920℃，原料区温度为920～970℃，生长区温度梯度控制在3～5℃·cm‑1；保持上述条件15天以上，即可完成硒化锌单晶体的生长；单晶体生长完成后，按50℃·h‑1的速率冷却至室温即可获得硒化锌单晶。 |
