| 发明名称 | 用于纳米线器件的隔离 | ||
| 摘要 | 本公开涉及制造微电子器件的领域。在至少一个实施例中，本公开涉及形成隔离的纳米线，其中，邻接于纳米线的隔离结构为其上微电子结构的形成提供基本上水平的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102652364A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201080057647.8 | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | U.沙;B.楚-孔;B-Y.金;R.皮拉里塞蒂;M.拉多沙夫耶维奇;W.雷奇马迪 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨美灵;王忠忠 |
| 主权项 | 一种纳米线隔离结构，包括：置于邻接于至少一个纳米线的介电材料，其中，所述介电材料包括从所述介电材料的第一表面延伸进入所述介电材料的至少一个凹陷沟道；置于所述介电材料第一表面之上和所述凹陷沟道之内的保护层；以及置于所述保护层上以基本上填充所述凹陷沟道的填充介电材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||