多层半导体晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种制造多层半导体晶片的方法，该半导体晶片包括承载晶片(5)和与承载晶片(5)粘合的碳化硅施体层(40)，该方法包括以下步骤：a)提供承载晶片(5)，b)提供施体晶片(1)，施体晶片(1)包括施体层(2)和施体晶片的剩余物(3)，所述施体层(2)包含单晶硅，e)将所述施体晶片(1)的施体层(2)与承载晶片(5)粘合，以及f)移除施体晶片的剩余物(3)，以便使仍保持与承载晶片(5)粘合的施体层(2)暴露，所述方法特征在于以下的其它步骤：c)将碳离子注入施体层(2)中，以便产生包含注入碳的层(4)，以及d)热处理包括包含注入碳的层(4)的施体层(2)，以形成在至少部分施体层(2)中的碳化硅施体层(44)。本发明还涉及一种多层半导体晶片，其包括承载晶片(5)和与承载晶片(5)粘合的碳化硅施体层(44)，其中通过X射线衍射确定，所述碳化硅施体层(44)不含孪晶，且不含额外的碳化硅多型体。

主权项

一种制造多层半导体晶片的方法，该半导体晶片包括承载晶片(5)和与承载晶片(5)粘合的碳化硅施体层(44)，所述方法包括以下给定顺序的步骤：a)提供承载晶片(5)，b)提供施体晶片(1)，该施体晶片(1)包括施体层(2)和所述施体晶片的剩余物(3)，所述施体层(2)包含单晶硅，c)将碳离子注入施体层(2)中，以便产生包含注入碳的层(4)，d)热处理包括包含注入碳的层(4)的施体晶片(1)，以形成至少与施体层(2)重叠的包含碳化硅的层(40)，重叠的部分形成碳化硅施体层(44)，所述碳化硅施体层(44)被包含单晶硅的表面层(21)覆盖，所述表面层(21)位于施体层(2)的表面，e)将所述施体晶片(1)的施体层(2)与承载晶片(5)粘合，以及f)移除施体晶片的剩余物(3)，以便使仍保持与承载晶片(5)粘合的碳化硅施体层(44)暴露。