| 发明名称 | 一种用于太赫兹功率源器件的带状注阴极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于太赫兹功率源器件的带状注阴极及其制备方法，带状注阴极包括阴极钼筒(1)和压制在阴极钼筒(1)内部的阴极基底(2)，阴极钼筒(1)的前端面设有狭缝带(4)，阴极钼筒(1)的后端安装有避免阴极盐蒸发物对器件造成污染的钽盖(3)，钽盖(3)通过激光焊的方式与阴极钼筒(1)紧密焊接在一起；且阴极基底(2)的表面上设有一层厚度为0.3微米-0.6微米锇铱铝膜。具有上述特殊结构的用于太赫兹功率源器件的带状注阴极发射的电子注为带状电子注，满足带状电子注真空电子器件对电子源的需求，且该阴极为采取密封式焊接，避免阴极盐的蒸发物对器件的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN102637568A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210090587.0 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 安徽华东光电技术研究所 | 发明人 | 吴华夏;邓清东;贺兆昌;宋田英;张丽 |
| 分类号 | H01J23/05(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J23/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人 | 张小虹 |
| 主权项 | 一种用于太赫兹功率源器件的带状注阴极，其特征在于：所述的带状注阴极包括阴极钼筒(1)和压制在阴极钼筒(1)内部的阴极基底(2)，阴极钼筒(1)的前端面设有狭缝带(4)，阴极钼筒(1)的后端安装有避免阴极盐蒸发物对器件造成污染的钽盖(3)，且阴极基底(2)的表面上设有一层贵金属镀膜。 | ||
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市弋江区城南高新技术开发区华厦科技园 | ||