发明名称 Verfahren zur Herstellung einer elektrisch korrekten integrierten Schaltung
摘要 Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung offenbart, das gemäß einer Ausführungsform das Bereitstellen eines logischen Entwurfs für das Halbleiterbauelement und das Vergleichen eines Elements in dem logischen Entwurf mit einer Bibliothek aus Elementmustern umfasst. Eine Bibliothek aus Elementmustern wird erstellt, indem Layoutmuster mit elektrischen Eigenschaften ermittelt werden, die von modellierten Eigenschaften abweichen; die Bibliothek enthält ferner ein quantitatives Maß der Abweichung von den modellierten Eigenschaften. In Reaktion auf das Vergleichen und unter Berücksichtigung des quantitativen Maßes wird bestimmt, ob das Element in dem logischen Entwurf akzeptabel ist. Es wird ein Maskensatz erzeugt, der den logischen Entwurf unter Anwendung des Elementes oder eines modifizierten Elementes, wenn das Element nicht akzeptabel ist, umgesetzt wird, und der Maskensatz wird verwendet, um den logischen Entwurf in und auf einem Halbleitersubstrat zu implementieren.
申请公布号 DE102012201719(A1) 申请公布日期 2012.08.09
申请号 DE201210201719 申请日期 2012.02.06
申请人 GLOBALFOUNDRIES INC. 发明人 TOPALOGLU, RASIT
分类号 H01L21/822;G03F1/00;G06F17/50 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
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