非易失性半导体存储元件的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。

主权项

一种非易失性半导体存储元件的制造方法，具有：在衬底上形成接触插塞的工序；覆盖所述接触插塞，将第一导电膜成膜的工序；在所述第一导电膜上将由含氧率不同的多个层构成的电阻变化膜成膜的工序；在所述电阻变化膜上将第二导电膜成膜的工序；将所述第二导电膜图形化来形成上部电极的工序；将所述电阻变化膜图形化来形成电阻变化层的工序；以及将所述第一导电膜图形化来形成与所述接触插塞连接的下部电极的工序，进一步，至少在形成所述下部电极的工序前具有，为了使所述电阻变化层的端部或成为所述电阻变化层的端部的所述电阻变化膜的一部分绝缘化而进行氧化的工序。