发明名称 |
固态图像拾取装置及其制造方法 |
摘要 |
根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域(110)被设置在PD基板(101)的前侧。n型半导体区域(119)在PD基板(101)的背侧被设置在p型半导体区域(110)下面。n型半导体区域(119)包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域(110)和n型半导体区域(119)。 |
申请公布号 |
CN102630343A |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201080054061.6 |
申请日期 |
2010.11.29 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
渡边高典;板桥政次;小林昌弘;小林秀央;札场哲也;市川武史 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
陈新 |
主权项 |
一种背侧照明型固态图像拾取装置,包括:设置有分别具有光电转换部分的多个像素的半导体基板;设置在半导体基板的第一主面侧的多个布线层;和设置在多个布线层之间的层间绝缘膜,其中,光从半导体基板的与第一主面相反的第二主面入射到光电转换部分,光电转换部分包含第一n型半导体区域和第一p型半导体区域,第一n型半导体区域包含砷作为主要杂质,第一n型半导体区域被设置为比第一p型半导体区域更接近半导体基板的第二主面,并且,通过光电转换产生的空穴作为信号载流子在第一p型半导体区域中被收集。 |
地址 |
日本东京 |