| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 根据实施方式，半导体元件具备：半绝缘性基板，在表面选择性地设有第1第一导电型层；第1半导体层，设置在上述半绝缘性基板以及上述第1第一导电型层之上，包含无掺杂AlXGa1-XN(0≤X＜1)；以及第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，包含无掺杂或第二导电型的AlYGa1-YN(0＜Y≤1，X＜Y)。该半导体元件具备：第1主电极，与上述第2半导体层连接；第2主电极，与上述第2半导体层连接；以及控制电极，设置在上述第1主电极与上述第2主电极之间的上述第2半导体层之上。上述第1第一导电型层设置在上述控制电极之下。 | ||
| 申请公布号 | CN102623493A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110249455.3 | 申请日期 | 2011.08.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤涉 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，具备：半绝缘性基板，在表面选择性地设有第1第一导电型层；第1半导体层，设置在上述半绝缘性基板以及上述第1第一导电型层之上，包含无掺杂AlXGa1‑XN，其中0≤X＜1；第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，包含无掺杂或第二导电型的AlYGa1‑YN，其中0＜Y≤1，X＜Y；第1主电极，与上述第2半导体层连接；第2主电极，与上述第2半导体层连接；以及控制电极，设置在上述第1主电极与上述第2主电极之间的上述第2半导体层之上；上述第1第一导电型层设置在上述控制电极之下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||