半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明在制造具有n沟道晶体管和p沟道晶体管的半导体器件的方法中抑制外来物质附着至n沟道晶体管的栅极绝缘膜的侧部，该n沟道晶体管和p沟道晶体管均具有高介电常数的绝缘膜。在半导体衬底的主表面之上，在p型杂质区中形成功能性n沟道晶体管并且在n型杂质区中形成功能性p沟道晶体管。形成在p型杂质区中除功能性n沟道晶体管之外的区域中的多个第一外围晶体管被形成为使得外围n型结构和外围p型结构在平面视图中可以共存。

主权项

一种半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；形成于所述主表面之上并且具有n型杂质区和p型杂质区的晶体管形成区域；布置在所述p型杂质区中的功能性n沟道晶体管；布置在所述n型杂质区中的功能性p沟道晶体管；在平面视图中设置在所述p型杂质区中的所述功能性n沟道晶体管的外围处的多个第一外围晶体管；以及在平面视图中设置在所述n型杂质区中的所述功能性p沟道晶体管的外围处的多个第二外围晶体管；其中将至少所述多个第一外围晶体管设置成使得外围n型栅极结构和外围p型栅极结构可以共存。