发明名称 制造集成电路元件的方法
摘要 本发明公开了一种制造集成电路元件的方法,包括提供基板;形成第一硬掩模层于基板上;图案化第一硬掩模层,使其具有一个或多个具有第一关键尺寸的第一开口;进行第一注入工艺于基板上,形成第二硬掩模层于第一硬掩模层上,且第二硬掩模层具有第二关键尺寸的一个或多个第二开口;以及进行第二注入工艺。本发明提供了一种制造集成电路元件的方法,只需单一光掩模即可进行不同关键尺寸的注入工艺。其具有一种或多种优点,比如降低工艺成本、易于改良不同关键尺寸的工艺如注入、易于发展集成电路元件、和/或易于延伸本发明的方法至次世代工艺。
申请公布号 CN101840881B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN200910139953.5 申请日期 2009.07.17
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 庄俊杰;杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德
分类号 H01L21/70(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I 主分类号 H01L21/70(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;高雪琴
主权项 一种制造集成电路元件的方法,包括:提供一基板;形成一第一硬掩模层于该基板上;图案化该第一硬掩模层以形成一个或多个第一开口,且该第一开口具有第一关键尺寸;进行一第一注入工艺于该基板上;形成一第二硬掩模层于图案化的该第一硬掩模层上,该第二硬掩模层具有一个或多个第二开口,且该第二开口具有第二关键尺寸;以及进行一第二注入工艺于该基板上,其中,在进行该第二注入工艺时,于该第一注入工艺中基板露出的部分被该第二掩模层保护。
地址 中国台湾新竹市