发明名称 |
制造集成电路元件的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制造集成电路元件的方法,包括提供基板;形成第一硬掩模层于基板上;图案化第一硬掩模层,使其具有一个或多个具有第一关键尺寸的第一开口;进行第一注入工艺于基板上,形成第二硬掩模层于第一硬掩模层上,且第二硬掩模层具有第二关键尺寸的一个或多个第二开口;以及进行第二注入工艺。本发明提供了一种制造集成电路元件的方法,只需单一光掩模即可进行不同关键尺寸的注入工艺。其具有一种或多种优点,比如降低工艺成本、易于改良不同关键尺寸的工艺如注入、易于发展集成电路元件、和/或易于延伸本发明的方法至次世代工艺。 |
申请公布号 |
CN101840881B |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN200910139953.5 |
申请日期 |
2009.07.17 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
庄俊杰;杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德 |
分类号 |
H01L21/70(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/70(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;高雪琴 |
主权项 |
一种制造集成电路元件的方法,包括:提供一基板;形成一第一硬掩模层于该基板上;图案化该第一硬掩模层以形成一个或多个第一开口,且该第一开口具有第一关键尺寸;进行一第一注入工艺于该基板上;形成一第二硬掩模层于图案化的该第一硬掩模层上,该第二硬掩模层具有一个或多个第二开口,且该第二开口具有第二关键尺寸;以及进行一第二注入工艺于该基板上,其中,在进行该第二注入工艺时,于该第一注入工艺中基板露出的部分被该第二掩模层保护。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |