发明名称 开关电容型D/A变换器
摘要 本实用新型提供开关电容型D/A变换器,改善开关电容型D/A变换器的PSRR。开关电容型D/A变换器(100),接受m位(m是自然数)的输入数据,并输出与其值相对应的模拟信号。开关电路(10)分别对输入数据的每一位设置,并且分别包含在输入数据的对应位为1时导通、为0时关断的第一开关组(M1、M4)和在对应位为0时导通、为1时关断的第二开关组(M2、M3)。第一开关组和第二开关组的各开关(M1~M4)由P沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)构成。在将栅极信号(G1、G2)提供给开关(M1~M4)的第一反相器(12)和第二反相器(14)的各下侧电源端子上施加接地电压0V。
申请公布号 CN202340220U 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201120327273.9 申请日期 2011.07.15
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 中村圭
分类号 H03M1/66(2006.01)I 主分类号 H03M1/66(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 郭定辉
主权项 开关电容型D/A变换器,接受m位的输入数据,并输出与其值相对应的模拟信号,其中m是自然数,其特征在于,包括:分别对所述输入数据的每一位设置的m个开关电路,其分别包含在所述输入数据的对应位为1时导通、为0时关断的第一开关组和在所述对应位为0时导通、为1时关断的第二开关组;第一反相器,其将栅极信号输出到所述第一开关组的各开关;以及第二反相器,其将栅极信号输出到所述第二开关组的各开关,所述第一开关组和所述第二开关组的各开关由P沟道MOSFET构成,在所述第一反相器和所述第二反相器的各下侧电源端子上施加接地电压。
地址 日本京都府