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发明名称
晶片电阻的制程
摘要
本发明系有关于一种晶片电阻的制程,主要系先于一基板上划分为复数单元体,于各单元体之底面与表面印刷有端极,再于表面端极间印刷一电阻层与第一保护层,并利用镭射切割该电阻层以修整电阻值;再将特定数量之相邻单元体配置为一晶片电阻之主体,并将晶片电阻两侧端极采以并连配置,再印刷一第二保护层使其能包覆各单元体的电阻层而覆于晶片电阻之上;之后将晶片电阻端极进行侧导滚沾与电镀作业,通过品检而散装入库,俾完成本制程;能够有效量产出具有高良率及高功率的晶片电阻。
申请公布号
TWI368238
申请公布日期
2012.07.11
申请号
TW096137520
申请日期
2007.10.05
申请人
天二科技股份有限公司 高雄市大寮区大寮路323巷143号
发明人
叶秀兰;黄幼轩;张简秀缎;李碧甄;洪琳智;李泉兴;吴信霖;刘水富;王家凌;杨文华;王盛聪
分类号
H01C17/06
主分类号
H01C17/06
代理机构
代理人
主权项
地址
高雄市大寮区大寮路323巷143号
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