发明名称 一种化学气相沉积制备钨的方法及其装置
摘要 本发明涉及化学气相沉积法制备钨的装置和方法,属于难熔金属加工技术领域。本发明采用六氯化钨固体为反应原料,通过基底自身电阻发热的热辐射使六氯化钨气化发生反应;在反应室的进气、出气端上下各有两个气口,在反应的不同阶段,通过控制气体进出气口的闭合,利用各气体的不同比重,来达到混合气体及排气的目的;通过控制气体的流量与通入时间来控制反应过程。采用本设备避免了Cl2的使用对环境造成的污染,简化了步骤,其制备而成的钨涂层经过后期简单处理便可制备成用于医疗设备中X射线准直及防辐射零件。
申请公布号 CN102534543A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201210040113.5 申请日期 2012.02.22
申请人 上海大学 发明人 朱玉斌;郑逸锋;侯培岩;孙艳涛;侯占杰;田军强;黄芯颖;杨珺
分类号 C23C16/14(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/14(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种六氯化钨体系化学气相沉积钨的工艺方法,其特征是该方法具有以下步骤:A. 将一定量的六氯化钨以固体的形态置于基底的下端,六氯化钨所需量与反应量的质量比为5:1;B. 反应开始前,关闭进气端上方气口和出气端下方气口,从进气端下方气口将氩气以0.08m3/h的速度通入反应室10min,排出反应室内空气;关闭进气端下方气口及出气端上方气口,打开进气端上方气口及出气端下方气口,将氢气以400ml/min的速度通入反应室15分钟,用来排出氩气,并作爆鸣实验以验纯;关闭进气端上方气口及出气端下方气口,打开进气端下方气口及出气端上方气口,将氢气以200ml/min的速度从进气端下方气口通入,打开加热电源调节电压使基底温度达到某一恒定温度进行沉积,该恒定温度为700℃~900℃;沉积结束后,关闭加热电源,将氩气以0.08m3/h的速度从进气端下方气口通入反应室直至反应室降到室温;C. 沉积基底通过转动杆连接,在沉积过程中保持20r/min~60r/min的速度旋转,以保证基底各部分沉积均匀;D. 反应室下端装有气体搅拌器,在沉积的过程中启动,通过其搅拌使不同比重的六氯化钨气体和氢气混合均匀,有利于沉积的均匀性。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号