发明名称 电磁波检测元件
摘要 本发明提供一种可以防止在传感器部分的光利用效率降低的电磁波检测元件。传感器部分被设置成与扫描线和信号线的相应交叉部分对应,并且具有由于辐照电磁波而产生电荷的半导体层,并且在其电磁波辐照表面侧形成上电极,在其非电磁波辐照表面侧形成下电极。通过共电极线将偏压经由相应的接触孔供应给相应的上电极,所述共电极线是相比于半导体层更向着电磁波下游侧形成的。
申请公布号 CN101499481B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200910004839.1 申请日期 2009.01.21
申请人 富士胶片株式会社 发明人 冈田美广
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 陈平
主权项 一种电磁波检测元件,所述电磁波检测元件包括:多个传感器部分,所述多个传感器部分具有:半导体层,所述半导体层被设置成与多个扫描线和多个信号线的相应交叉部分对应,所述多个扫描线和多个信号线被设置成彼此相交,所述半导体层通过被电磁波辐照而产生电荷,所述电磁波表示作为检测对象的图像,第一电极,所述第一电极由对所述电磁波具有透射性的导电性构件在所述半导体层的被辐照所述电磁波的辐照表面侧形成,所述第一电极对所述半导体层施加偏压,以及第二电极,所述第二电极形成在所述半导体层相对于所述电磁波的非辐照表面侧,并且所述第二电极收集在所述半导体层产生的电荷;以及共电极线,所述共电极线形成在所述传感器部分的电磁波下游侧并且经由相应的接触孔与所述第一电极连接,并且供应所述偏压。
地址 日本国东京都