发明名称 |
一种纳米硅颗粒的制备方法及含有该纳米硅颗粒的负极材料及锂离子电池 |
摘要 |
本发明提供一种纳米硅颗粒的制备方法及含有该纳米硅颗粒的负极材料及锂离子电池,其制备方法包括一氧化硅的高温歧化反应和腐蚀除二氧化硅两个步骤,在保护气氛下对一氧化硅进行加热,生成二氧化硅包覆纳米硅颗粒;将二氧化硅包覆纳米硅颗粒与腐蚀液混合进行腐蚀处理,将二氧化硅腐蚀掉再经分离得纳米硅颗粒。基于该纳米硅颗粒制备的锂离子电池容量高、循环性能好。 |
申请公布号 |
CN102491335A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110399792.0 |
申请日期 |
2011.11.30 |
申请人 |
奇瑞汽车股份有限公司 |
发明人 |
曾绍忠;朱广燕 |
分类号 |
C01B33/027(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
罗建民;邓伯英 |
主权项 |
一种纳米硅颗粒的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)一氧化硅的高温歧化反应在保护气氛下对一氧化硅进行加热,使其发生歧化反应,加热条件为800‑1300℃下反应0.5‑24h,生成二氧化硅包覆纳米硅颗粒;(2)腐蚀除二氧化硅将二氧化硅包覆纳米硅颗粒与腐蚀液混合进行腐蚀处理,将二氧化硅腐蚀掉再经分离得纳米硅颗粒。 |
地址 |
241006 安徽省芜湖市经济技术开发区长春路8号 |