发明名称 |
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池,由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单,制备容易、工艺稳定性和重复性好,成本低;且其光电转换效率高。 |
申请公布号 |
CN102496645A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110426453.7 |
申请日期 |
2011.12.19 |
申请人 |
西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司 |
发明人 |
余洲;晏传鹏;张勇;李珂;刘斌;赵勇 |
分类号 |
H01L31/068(2012.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/068(2012.01)I |
代理机构 |
成都博通专利事务所 51208 |
代理人 |
陈树明 |
主权项 |
一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池,依次由以下各层构成:透明电极层、ZnO窗口层、n型CIGS光吸收层、CIGS自掺杂同质p‑n结,p型CIGS光吸收层、金属背电极层和衬底;且:所述的n型CIGS光吸收层为Cu1+x(In0.7‑yGa0.3+y)Se2‑z薄膜,0<x≤0.15,0≤y≤0.05,0<z≤0.15;所述的p型CIGS光吸收层为Cu1‑m(In0.7‑nGa0.3+n)Se2+p薄膜,0<m≤0.15,0≤n≤0.05,0<p≤0.15;所述的CIGS自掺杂同质p‑n结为:在获得p型CIGS光吸收层后,衬底温度为400℃~600℃、射频磁控溅射Cu(In0.7Ga0.3)Se2靶材获得n型CIGS光吸收层时,p型CIGS光吸收层和n型CIGS光吸收层界面载流子复合形成的同质p‑n结。 |
地址 |
610031 四川省成都市二环路北一段111号 |