| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，对所述衬底进行第一离子注入，形成离子阱；在所述衬底表面上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行第二离子注入，形成轻掺杂区，包括轻掺杂源区和轻掺杂漏区；在所述栅极结构的两侧形成侧墙，并以所述侧墙为掩膜，对所述衬底进行第三离子注入，形成重掺杂区，包括重掺杂源区和重掺杂漏区；所述第一离子注入环境、第二离子注入环境和第三离子注入环境中的一种离子注入环境或多个离子注入环境中，还包含有氘离子、氟离子或氯离子中的一种或组合。本发明通过氘离子、氟离子或氯离子，用以饱和衬底与栅极结构界面处的硅悬挂键，抑制热电子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102487007A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010569392.5 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根;卢炯平;陈志豪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，对所述衬底进行第一离子注入，形成离子阱；在所述衬底表面上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行第二离子注入，形成轻掺杂区，包括轻掺杂源区和轻掺杂漏区；在所述栅极结构的两侧形成侧墙，并以所述侧墙为掩膜，对所述衬底进行第三离子注入，形成重掺杂区，包括重掺杂源区和重掺杂漏区；其特征在于，所述第一离子注入环境、第二离子注入环境和第三离子注入环境中的一种离子注入环境或多个离子注入环境中，还包含有氘离子、氟离子或氯离子中的一种或组合。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||