发明名称 一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法
摘要 本发明公开了一种散热增益型堆叠式半导体组件的制造方法,其中该组件包括半导体元件、散热座、黏着层、被覆穿孔、第一集成电路及第二集成电路。该散热座包括一凸块及一凸缘层。该凸块定义出一凹穴。该半导体元件设置于凸块上并位于凹穴处,且电性连接至该第一集成电路,并与凸块热连结。该凸块延伸进入黏着层的开口,且该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该第一集成电路及第二集成电路朝相反方向延伸于半导体元件外。该被覆穿孔延伸穿过该黏着层,并提供第一集成电路与第二集成电路间的信号路由。该散热座为半导体元件提供散热效果。
申请公布号 CN102479724A 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201110378885.5 申请日期 2011.11.21
申请人 钰桥半导体股份有限公司 发明人 林文强;王家忠
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法,其包括以下步骤:提供一凸块、一凸缘层、一黏着层及一具有通孔的导电层,其中该凸块定义出面朝第一垂直方向的一凹穴,且于相反于该第一垂直方向的第二垂直方向上覆盖该凹穴,同时该凸块邻接该凸缘层并与该凸缘层一体成型,且自该凸缘层朝该第二垂直方向延伸,而该凸缘层则自该凸块朝垂直于该第一及第二垂直方向的侧面方向侧向延伸;然后通过该黏着层将该凸缘层及该凸块黏附至该导电层,其中该黏着层介于该凸缘层与该导电层之间及该凸块与该导电层之间,此步骤包括将该凸块对准该通孔;然后将包含一接触垫的一半导体元件设置于该凸块上且位于该凹穴处;提供一第一集成电路于该半导体元件及该凸缘层上,其中该第一集成电路自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸,且电性连接至该半导体元件;提供一第二集成电路,其朝该第二垂直方向延伸于该凸块、该黏着层及该导电层外;以及提供一被覆穿孔,其朝该第一及第二垂直方向延伸贯穿该黏着层,以提供该第一集成电路与该第二集成电路之间的电性连接。
地址 中国台湾台北市北投区立德路157号3楼