深沟槽刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽刻蚀方法，包括采用干法刻蚀工艺在硅片的正面形成深沟槽的步骤一；形成深沟槽后还包括采用硅片背面多晶硅湿法刻蚀工艺去除硅片边缘的硅尖刺的步骤二。步骤二的硅片背面多晶硅湿法刻蚀工艺中，硅片的背面朝上并且旋转，采用喷嘴喷射的方法将湿法刻蚀的化学药液喷到硅片的背面上并通过旋转使化学药液在硅片背面均匀分布并流向硅片的边缘；硅片的正面朝下并充有氮气，通过氮气阻止化学药液从硅片的背面流向正面。本发明能够去除深沟槽形成后在硅片边缘形成的硅尖刺、避免对后续的湿法设备的污染、提高产品良率。

主权项

一种深沟槽刻蚀方法，包括采用干法刻蚀工艺在硅片的正面形成深沟槽的步骤一；其特征在于，形成所述深沟槽后还包括采用硅片背面多晶硅湿法刻蚀工艺去除所述硅片边缘的硅尖刺的步骤二；所述步骤二的所述硅片背面多晶硅湿法刻蚀工艺中，所述硅片的背面朝上并且旋转，采用喷嘴喷射的方法将湿法刻蚀的化学药液喷到所述硅片的背面上并通过旋转使所述化学药液在所述硅片背面均匀分布并流向所述硅片的边缘；所述硅片的正面朝下并充有氮气，通过所述氮气阻止所述化学药液从所述硅片的背面流向正面。