| 发明名称 | 半导体装置和层叠半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包括：参考延迟值检测单元，被配置为接收源信号并将源信号延迟以产生参考延迟信号；工艺延迟值检测单元，被配置为接收源信号并将源信号延迟以产生工艺延迟信号；以及信号发生单元，被配置为接收参考延迟信号和工艺延迟信号，接收输入信号，并且基于参考延迟信号和工艺延迟信号而以可变的方式将输入信号延迟以产生输出信号。 | ||
| 申请公布号 | CN102467955A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110039647.1 | 申请日期 | 2011.02.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴日光;朴起德 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：参考延迟值检测单元，所述参考延迟值检测单元被配置为接收源信号并将所述源信号延迟以产生参考延迟信号；工艺延迟值检测单元，所述工艺延迟值检测单元被配置为接收所述源信号并将所述源信号延迟以产生工艺延迟信号；以及信号发生单元，所述信号发生单元被配置为接收所述参考延迟信号和所述工艺延迟信号，接收输入信号，并且基于所述参考延迟信号和所述工艺延迟信号而以可变的方式将所述输入信号延迟以产生输出信号。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||