发明名称 |
用于制备胶体晶体单层膜的装置及方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于制备胶体晶体单层膜的装置及方法。所述方法包括以下步骤:1)设定所述恒温装置的温度;2)加入胶体悬浊液到所述生长管中,并使所述胶体悬浊液的液面高于所述第一阀门至少约10cm;3)固定所述基片于所述生长管中,开启所述第一阀门,以使所述胶体悬浊液的高度下降值占胶体悬浊液的原液面和第一阀门之间的高度差的比例最多为1/10;4)待生长完毕,关闭第一阀门。本发明的用于制备胶体晶体单层膜的方法效率高、易于控制、操作简单且重复性好,采用该方法可以在较短的时间内生长高质量,大面积的胶体晶体单层膜,且适用于多种粒径和种类胶体颗粒的自组装。 |
申请公布号 |
CN101597786B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200910088088.6 |
申请日期 |
2009.07.02 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
孟庆波;高奎意;黄姝青;罗艳红;李冬梅 |
分类号 |
C30B5/00(2006.01)I;B05C3/109(2006.01)I;B05D1/30(2006.01)I;B05D1/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B5/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种用于制备胶体晶体单层膜的装置,包括基片、包含胶体悬浊液的生长管以及恒温装置,其特征在于,所述生长管上设置有第一阀门,用于控制所述生长管中液面下降速率;所述胶体悬浊液的液面高于所述第一阀门至少10cm,所述胶体悬浊液的高度下降值占原胶体悬浊液的液面和第一阀门之间的高度差的比例最多为1/10。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |