发明名称 非易失性存储装置以及存储控制器
摘要 本发明的存储控制器(103)的访问控制部(108)当向复制目的地区块的页复制保存在非易失性存储器(104)的复制源区块内的页中的数据时,按照保存在复制模式保存区域的复制模式,将保存在与第1复制方式相对应的页中的数据,在纠错控制部(109)纠错之后向复制目的地区块的页复制,将保存在与第2复制方式相对应的页中的数据,不进行纠错控制部(109)的纠错即向复制目的地区块的页复制,并将与复制目的地区块相关联的复制模式变更为与复制源区块的复制模式不同的复制模式。
申请公布号 CN102473141A 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201180003104.2 申请日期 2011.02.02
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 须藤正人;本多利行
分类号 G06F12/16(2006.01)I;G06F12/00(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I 主分类号 G06F12/16(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种非易失性存储装置,其特征在于包括:非易失性存储器,具有多个作为擦除单位的区块,所述区块包含多页作为写入单位的页;以及存储控制器,对所述非易失性存储器进行数据的写入和读出,其中,所述非易失性存储器,具有可将用于决定对各区块复制数据的方式的复制模式与各区块关联起来加以保存的复制模式保存区域,所述存储控制器具备:控制对所述非易失性存储器的数据的写入动作和读出动作的访问控制部;以及对存储在所述非易失性存储器中的数据进行纠错的纠错控制部,所述复制模式,包括从第1复制模式到第N复制模式的N种复制模式,其中,N为2以上的自然数,所述第1至第N复制模式的各复制模式,针对每页规定第1复制方式和第2复制方式的其中之一,其中,所述第1复制方式在所述纠错控制部纠错后复制数据、所述第2复制方式不进行所述纠错控制部的纠错就复制数据,所述各页,在所述第1至第N复制模式的其中一个以上的复制模式中与所述第1复制方式相对应,在其他的复制模式中与所述第2复制方式相对应,所述访问控制部,当向复制目的地区块的页复制保存在复制源区块内的页中的数据时,按照保存在所述复制模式保存区域的复制模式,将保存在与所述第1复制方式相对应的页中的数据,在所述纠错控制部纠错之后向所述复制目的地区块的页复制,将保存在与所述第2复制方式相对应的页中的数据,不进行所述纠错控制部的纠错而向所述复制目的地区块的页复制,并将与所述复制目的地区块相关联的复制模式变更为与所述复制源区块的复制模式不同的复制模式。
地址 日本大阪府