| 发明名称 | 具有增大的提取效率的再发光半导体构造 | ||
| 摘要 | 本发明整体涉及固态半导体光源以及相关的器件、系统、和方法。半导体层叠堆(310)形成再发光半导体构造(RSC)。叠堆(310)包括将第一波长的光转换成第二波长的光的有源区(316)，有源区(316)包括至少一个势阱。叠堆(310)还包括从叠堆的外表面延伸到有源区的无源区(318)。凹陷(326)形成于叠堆(310)中，且凹陷(326)从外表面延伸到无源区(318)内。平均凹陷深度为无源区的厚度的至少50％。作为另外一种选择，平均凹陷深度为最近势阱距离的至少50％。本发明还公开了凹陷(326)的其他可供选择的特征。凹陷(326)可在平面图中具有至少40％的堆积密度。凹陷(326)的投影表面积的相当大一部分还可与倾斜表面相关。 | ||
| 申请公布号 | CN102460741A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080030323.5 | 申请日期 | 2010.04.30 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 杨朝晖;易亚沙;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;特里·L·史密斯 |
| 分类号 | H01L33/20(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 一种器件，其包括：半导体层的叠堆，所述叠堆包括：有源区，适于将第一波长λ1的光转换成第二波长λ2的光，所述有源区包括至少第一势阱；以及第一无源区，从所述叠堆的外表面延伸到所述有源区，从所述外表面到所述有源区的距离对应于所述第一无源区的厚度，所述第一无源区的特征在于其内传播的所述第一波长λ1的光基本上不转换成其他光；其中，所述叠堆还包括在其中形成的多个凹陷，所述多个凹陷从所述外表面延伸到所述第一无源区内，所述凹陷通过平均凹陷深度来表征，并且其中所述平均凹陷深度为所述第一无源区的厚度的至少50％。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||